李涛涛，bw必威西汉姆联官网集成电路学院副教授，博士生导师，国家优秀青年基金获得者。本硕毕业于武汉科技大学，先后在中国科学院西安光学精密机械研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、新加坡南洋理工大学从事科研和访学工作。2021年于bw必威西汉姆联官网获得材料科学与工程博士学位。主要研究方向为晶圆级二维半导体单晶外延生长及器件应用。在 Nature, Nature Nanotechnol., Chem. Soc. Rev., Small, Nation. Sci. Open等期刊发论文文40余篇，他引超过 1700 次，多篇入选 ESI热点论文（前0.1%）；获中国、美国、日本专利授权10余项；获江苏省优秀博士学位论文、小米青年学者-科技创新奖、京博科技奖-京博优秀博士论文，入选2022年度中国半导体十大研究进展。主持国家自然科学基金青年基金、江苏省自然科学基金青年基金各1项，参与科技部国家重点研发计划项目2项。

1.      Taotao Li†, Wei Guo†, Liang Ma†, Weisheng Li†, Zhihao Yu†, Zhen Han†, Si Gao, Lei Liu, Dongxu Fan, Zixuan Wang, Yang Yang, Weiyi Lin, Zhongzhong Luo, Xiaoqing Chen, Ningxuan Dai, Xuecou Tu, Danfeng Pan, Yagang Yao, Peng Wang, Yuefeng Nie, Jinlan Wang, Yi Shi & Xinran Wang. Epitaxial growth of wafer-scale molybdenum disulfide semiconductor single crystals on sapphire. Nature Nanotechnology, 2021, 16, 1201-1207. †contributed equally. Hot Paper (top 0.1%)

2.      Lei Liu†, Taotao Li†*, Liang Ma†*, Weisheng Li†, Si Gao†, Wenjie Sun†, Ruikang Dong†, Xilu Zou, Dongxu Fan, Liangwei Shao, Chenyi Gu, Ningxuan Dai, Zhihao Yu, Xiaoqing Chen, Xuecou Tu1, Yuefeng Nie, Peng Wang, Jinlan Wang*, Yi Shi & Xinran Wang*. Uniform nucleation and epitaxy of bi-layer molybdenum disulfide on sapphire. Nature, 2022, 605, 69-75.†contributed equally. *Corresponding author. Hot Paper (top 0.1%)

3.      Taotao Li*, Yang Yang, Liqi Zhou, Wenjie Sun, Weiyi Lin, Lei Liu, Xilu Zou, Si Gao, Yuefeng Nie, Yi Shi, Xinran Wang* Halide Vapor Phase Epitaxy of Monolayer Molybdenum Diselenide Single Crystals. National Science Open. 2023, DOI: 10.1360/nso/20220055, *Corresponding author.

4.      中国发明专利：王欣然，李涛涛，施毅。制备大面积过渡金属硫族化合物单晶的方法及其所得产品。专利号：ZL 202010602134.6

5.      美国发明专利：Xinran Wang, Taotao Li & Yi Shi. Methods for Preparation Large-area Transition Metal Dichalcogenide Single-Crystal Films by Performing vapor deposition on a Single-Crystal C-Plane Sapphire substrate with <10-10> surface steps. 专利号： US 11,339,501 B2

6.      中国发明专利：王欣然，刘蕾，李涛涛，施毅。一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法。专利号：ZL 202210182597.0.

7.      美国发明专利：Xinran Wang, Lei Liu, Taotao Li & Yi Shi. Methods for Uniform Growth of Bi-layer- Transition Metal Dichalcogenide continuous films. Patent No. 17/724,949.

8.      中国发明专利：王欣然，李涛涛，施毅。一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置。申请号 202211324028.1